IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE020N04LM6CGSCATMA1 par Infineon et ISZ072N06NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE020N04LM6CGSCATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,65 $0,38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Continuous Drain Current at TA=25°C 25 A —
Continuous Drain Current at TC=25°C 166 A —
Maximum RDS(on) 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) —
Power Dissipation at TA=25°C 2.5 W —
Power Dissipation at TC=25°C 107 W —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
Nombre de broches 9 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) -55C to +175C ( Tj max 175C )
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) 1
Technology OptiMOS 6 trench OptiMOS 6 trench MOSFET
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 50 W
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W

Fiches techniques et ressources

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