IQE050N08NM5CGATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE050N08NM5CGATMA1 par Infineon et IQE036N08NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQE050N08NM5CGATMA1 | IQE036N08NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,75 | $0,82 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 16 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 101 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 5.0 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Boîtier | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5 (Source-Down) | Trench MOSFET, OptiMOS 6 |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] | — |
| Température de fonctionnement | -55°C to +175°C (TJ max) | — |
| Total Gate Charge Qg Typ | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 6 |
| Type de transistor | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 80 V |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 118 A |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | — | 16.7 A |
| Rds(on) max at Vgs=10V | — | 3.6 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 3.5 V (max) |
| Power Dissipation at Tc | — | 125 W |
| Power Dissipation at Ta | — | 2.5 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C (junction, Tj) |
| Configuration | — | Single N-channel, Source-Down |