IQE220N15NM5ATMA1 vs IQE065N10NM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5ATMA1 par Infineon et IQE065N10NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQE220N15NM5ATMA1 IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 - 150V N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IQE220N15NM5ATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE065N10NM5CGSCATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 - 100V 6.5mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQE065N10NM5CGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQE220N15NM5ATMA1 IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,84 $1,28
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Power-Transistor —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 7 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 44 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 100 W —
RDS(on) Max at VGS=10V 22 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.6 V (typ at 46 µA) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) 14.4 nC at 10 V —
Input Capacitance (Ciss) 14 pF —
Output Capacitance (Coss) 340 pF —
Configuration de sortie Single N-Channel —
Boîtier PG-TSON-8-5 (Source-Down) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -55C to +150C (junction) —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 5) OptiMOS 5 trench-gate
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 —
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25 C — 85 A
Continuous Drain Current (ID) at TA — 13 A
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 6.5 mOhm
Power Dissipation at TA — 2.5 W
Power Dissipation at TC — 100 W
Plage de température de fonctionnement — -55 C to +150 C
Lead-Free — Yes

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