IQE220N15NM5CGSCATMA1 vs IQE008N03LM5SCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon et IQE008N03LM5SCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IQE220N15NM5CGSCATMA1 | IQE008N03LM5SCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,18 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 5 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | 30 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | 7 A | — |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | 44 A | — |
| Power Dissipation at Ta (PD) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc (PD) | 100 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 22 milliohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.6 V | 2 V (typical) |
| Boîtier | PG-WHTFN-9 (Source-Down) | PG-WHSON-8 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 5, Source-Down | Trench MOSFET (N-Channel) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 °C to +150 °C |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 252 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.85 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (recommended) |
| Configuration | — | Single N-Channel |
| Cooling Architecture | — | Source-Down, dual-side cooling |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |