IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE012N03LM5CGATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et IQE012N03LM5CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Actif
Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A —
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 34 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 224 A
On-Resistance RDS(on), typ — 1.20 mOhm
Gate-Source Threshold VGS(th) — 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level)
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 107 W
Technology / Process — OptiMOS 5 trench
Température de fonctionnement — -55 C to +150 C (TJ)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible)
Statut RoHS — Compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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