IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 par Infineon et IQE050N08NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 IQE050N08NM5CGSCATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,78 $0,74
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 7 Power-Transistor —
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 25 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA 54 A 16 A
Continuous Drain Current (ID) at TC 422 A 99 A
RDS(on) Max 0.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 2 V —
Power Dissipation (PD) at TA 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC 150 W —
Maximum Junction Temperature 175 °C —
Boîtier PG-WHTFN-9-1 (surface mount) PG-WHTFN-9-1 (Source-Down)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Series OptiMOS 7 —
Technology Silicon N-Channel Power MOSFET OptiMOS 5 (trench)
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 5.0 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3.8 V
Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Total Power Dissipation at TC (PD) — 100 W
Total Power Dissipation at TA (PD) — 2.5 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction, typical)
Lead-Free / RoHS — Lead-free, RoHS compliant
Niveau MSL — 1

Fiches techniques et ressources

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