IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQE013N04LM6ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH68NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQE013N04LM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQE013N04LM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,35 | $0,71 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55 °C to +175 °C |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS N-channel trench MOSFET |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 205 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 107 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] |
| On-Resistance RDS(on) typ | — | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V (typ) |
| Source-Down Topology | — | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) |