IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IQEH68NE2LM7UCGATMA1 par Infineon et IQE220N15NM5CGSCATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ ActifInfineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,35 | $2,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | OptiMOS 5 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 5, Source-Down |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4.6 V |