IQFH55N04NM6ATMA1 vs IPC50N04S5L5R5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IQFH55N04NM6ATMA1 par Infineon et IPC50N04S5L5R5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IQFH55N04NM6ATMA1 IPC50N04S5L5R5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,38 $0,36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D) @ TA=25°C 53 A —
Pulsed Drain Current @ TC=25°C 451 A —
Static R_DS(on) (typ) 0.55 mΩ —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 214 W —
Boîtier PG-TSON-12-1 (PQFN 8x6 mm², clip-based) PG-TDSON-8-33 (TDSON EP 8-pin, exposed pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Température de jonction en fonctionnement -55°C to +175°C —
Technology Trench MOSFET (OptiMOS 6 generation) —
Statut RoHS Compliant —
AEC-Q100 [DATA_NEEDED: automotive qualification status] —
Mode — Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 50 A
Maximum Drain Current (silicon-limited, 25 °C) — 60 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10 V — 5.5 mΩ
Gate Threshold VGS(th) — Logic Level (enhancement at ≤ 4.5 V VGS)
Power Dissipation (Tc) — 42 W
Thermal Resistance Junction-to-Case RthJC — 3.6 K/W
Plage de température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualification — Qualified (automotive grade)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1
Peak Reflow Temperature — 260 °C
Avalanche Rating — 100 % Avalanche Tested
RoHS / REACH — RoHS Compliant (Green Product)

Fiches techniques et ressources

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