IR2101STRPBF vs IR2304STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR2101STRPBF par Infineon et IR2304STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR2101STRPBF IR2304STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,68 $0,39
Configuration Half-Bridge (High-Side and Low-Side), Independent High-side and low-side (half-bridge)
Number of Drivers 2 —
Driver Type Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (Typ.) 210 mA —
Sink Current (Typ.) 360 mA —
Propagation Delay (Typ.) 160 ns —
Rise Time (Typ.) [DATA_NEEDED: rise time] —
Fall Time (Typ.) [DATA_NEEDED: fall time] —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V CMOS/LSTTL —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Negative Transient Immunity on VS Yes (dV/dt immune) —
Boîtier 8-SOIC (0.154 inch, 3.90 mm Width) 8-SOIC (3.90 mm body width)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Niveau MSL MSL 3 —
Statut RoHS Compliant PbF suffix indicates lead-free / RoHS compliant
Fonction — Half-bridge gate driver
Nombre de sorties — 2
Logic Input — Non-inverting, single input
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Offset Voltage (Voffset) — Up to 600 V
Output Source Current (typ.) — 0.29 A
Output Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 220 ns (turn-on and turn-off, matched)
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime — Integrated (matched delay, prevents shoot-through)
Input Logic Compatibility — 3.3 V CMOS / LSTTL
dV/dt Immunity — Yes (high-side channel)
Negative VS Transient Tolerance — Yes
Packaging — Tape and Reel (TR)

Fiches techniques et ressources

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