IR21271STRPBF vs IR2104STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IR21271STRPBF par Infineon et IR2104STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IR21271STRPBF IR2104STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,82 $0,59
Configuration High-Side or Low-Side High-side and low-side referenced output channels
Nombre de sorties 1 2 (high-side + low-side)
Input Polarity Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 9 V to 20 V —
High-Side Offset Voltage 600 V max —
Peak Source Current 250 mA —
Peak Sink Current 500 mA —
Propagation Delay 200 ns typical —
Temps de montée [DATA_NEEDED: rise time] —
Temps de descente [DATA_NEEDED: fall time] —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier 8-SOIC (3.90 mm) 8-SOIC (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-Free, suffix PBF) —
Integrated Current Sense Yes (CS pin + shutdown) —
dV/dt Immunity Yes Yes
Negative Transient Tolerance Yes (high-side rail) —
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Offset Voltage (High-Side, Max) — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source Current (typ) — 0.21 A
Output Sink Current (typ) — 0.36 A
Rise Time (typ) — 100 ns
Fall Time (typ) — 50 ns
Propagation Delay (typ) — 680 ns
Turn-On Propagation Delay (typ) — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay (typ) — 130 ns
Quiescent Current (VCC/VBS, typ) — 150 uA
Input Logic Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V logic
Shutdown Pin — Yes (active-low shutdown input)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Prevention — Yes (matched propagation delay)
Negative VS Transient Tolerance — Yes
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +150 C
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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