IRF1310NPBF vs IRF640NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF1310NPBF par Infineon et IRF640NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF1310NPBF IRF640NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,88
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 36 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 73.3 nC 44.7 nC
Gate-Source Charge (Qgs) [DATA_NEEDED: Qgs value] —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd value] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 160 W —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Type de montage Through Hole Through Hole
Technology HEXFET HEXFET (5th Generation)
Statut RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Type de transistor — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Fiches techniques et ressources

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