IRF4905PBF vs IRF4905LPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905PBF par Infineon et IRF4905LPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905PBF IRF4905LPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,98
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (IR MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (junction) —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-262 (I2PAK), through-hole, 3-pin
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) Yes (PbF suffix)
Niveau MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — -55 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — -74 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=-10V — 20 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) typ — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Total Power Dissipation (Ptot) @ Tc=25C — 200 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC value]
Rise Time (tr) typ — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (tf) typ — [DATA_NEEDED: fall time]
Avalanche Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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