IRF4905PBF vs TJ30S06M3L(T6L1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF4905PBF par Infineon et TJ30S06M3L(T6L1 par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF4905PBF TJ30S06M3L(T6L1
Marque Infineon Toshiba
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,54
FET Type P-Channel —
Technology HEXFET (IR MOSFET) U-MOS (Silicon P-Channel MOS)
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC 200 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 20 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range] —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C (junction) -55°C to +175°C (Tj)
Boîtier TO-220AB (through-hole) DPAK+ (TO-252-3)
Pin Configuration Gate - Drain - Source (left to right) —
Type de montage Through Hole Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Niveau MSL 1 (not moisture-sensitive for TO-220) —
Polarity — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDSS) — -60 V
Gate-Source Voltage (VGSS) — +10 V / -20 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — -30 A
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 68 W
RDS(ON) Max @ VGS=-10 V — 21.8 mΩ
RDS(ON) Typ @ VGS=-10 V — 16.8 mΩ
Gate Threshold Voltage (Vth) — -3.0 V (typ) @ VDS=-1 mA
Drain Leakage (IDSS) Max — -10 µA @ VDS=-60 V
Input Capacitance (Ciss) — 3950 pF
Automotive Qualification — AEC-Q101

Fiches techniques et ressources

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