IRFB7545PBF vs IRFB4127PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB7545PBF par Infineon et IRFB4127PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB7545PBF IRFB4127PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $1,68
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IRFB7545PBF IRFB4127PBF
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) TrenchFET Gen 6 (HEXFET)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-220AB (Through-Hole) —
Type de montage Through Hole (THT) Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
Niveau MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 76 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (Vgs) max — ±20 V
Drain-Source On-Resistance (Rds(on)) max — 20 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 100 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc — 375 W
Boîtier / Format — TO-220AB (through-hole)
Statut RoHS — Lead-Free (PBF suffix indicates RoHS compliance)
Configuration — Single

Fiches techniques et ressources

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