IRFR220NTRLPBF vs IRFR220NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR220NTRLPBF par Infineon et IRFR220NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR220NTRLPBF | IRFR220NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,22 | $0,74 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Mode | Enhancement | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 5 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.800 ohm (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th)] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) | Low (per datasheet - HEXFET design) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 43 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Packaging | Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET ruggedized design) | — |
| Technology Family | HEXFET, Planar, Generation 3 | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 5 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 43 W |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.6 ohm at VGS = 10 V |
| Boîtier / Format | — | TO-252AA (DPAK) |
| Technology | — | HEXFET (Planar) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, lead-free (PBF suffix) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet characterization) |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab |