IRFS7440TRLPBF vs IRFS4010TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFS7440TRLPBF par Infineon et IRFS4010TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFS7440TRLPBF | IRFS4010TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,98 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | StrongIRFET | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 208 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 2.5 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 90 nC (typical) | 143 nC |
| Gate Drive Voltage (optimized) | 10 V (normal level) | — |
| Operating Frequency Range (optimized) | <100 kHz | — |
| Boîtier | TO-263 (D2PAK), surface mount | D2PAK (TO-263AB), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: junction temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Qualification | JEDEC standard | JEDEC standard |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 180 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 4.7 mOhm |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | Plus or minus 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 375 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Gate Drive Voltage | — | 10 V (normal level, optimized) |
| Niveau MSL | — | 1 |