IRFU9024NPBF vs IRF520NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFU9024NPBF par Infineon et IRF520NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFU9024NPBF IRF520NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,46 $0,66
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -11 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -44 A —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=-10V 175 mOhm max —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -4 V max —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Input Capacitance (Ciss) 170 pF —
Output Capacitance (Coss) 92 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 350 pF —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 38 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier IPAK (TO-251AA) Through-Hole TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Status Lead-Free, RoHS Compliant —
Avalanche Rated Yes —
Generation Fifth-Generation HEXFET —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — HEXFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D) at Tc — 9.7 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
Gate-to-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
R_DS(on) max at V_GS=10V — 200 mOhm
Total Gate Charge (Q_g) — 16.7 nC
Power Dissipation (P_D) at Tc — 48 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Niveau MSL — 1 (unlimited)
Statut RoHS — Compliant (Pb-free)
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)
Technology — HEXFET (vertical DMOS)

Fiches techniques et ressources

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