IRLML0030TRPBF vs IRLML2060TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLML0030TRPBF par Infineon et IRLML2060TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLML0030TRPBF | IRLML2060TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,13 | $0,13 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 5.3 A | 1.2 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 27 mOhm at VGS=4.5V | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V optimized) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 3.6 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.3 W | 1.25 W |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Boîtier | Micro3 / SOT-23 (3-pin) | SOT-23 (Micro3, 3-pin) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET Power MOSFET | IR HEXFET (Trench Gate) |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) | MSL1 |
| Soldering | Wave-solder capable | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 4.8 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 12 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.8 V typical |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 480 mOhm |
| RDS(on) max at VGS=4.5V | — | 650 mOhm (typical 580 mOhm) |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthetaJA) | — | 100 C/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Sans halogène | — | Yes |