IRLR2705TRLPBF vs IRFR5305TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR2705TRLPBF par Infineon et IRFR5305TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR2705TRLPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,32 |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET (HexFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 28 A | 31 A |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (logic-level) | -2 V to -4 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 68 W | 110 W |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Lead-Free / RoHS Status | Lead-Free, RoHS Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET, 5th generation) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life at <30C / 85% RH) | 1 |
| Polarity | — | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| Statut RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |