IRLR3410TRPBF vs IRFZ48NSTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRPBF par Infineon et IRFZ48NSTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3410TRPBF IRFZ48NSTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,81 $1,18
FET Type N-Channel N-Channel Power MOSFET
Technology HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) —
Drain-Source Voltage (Vdss) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C 17 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 79 W —
On-Resistance RDS(on) max 105 mOhm —
Gate Threshold Voltage Vgs(th) Logic-level (drive ~4.5V) —
Total Gate Charge (Qg) 22.7 nC 54 nC
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount D2PAK (TO-263) Surface Mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix) —
Niveau MSL 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) —
Drain Tab Connection Tab electrically tied to Drain —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) — 14 mΩ at VGS = 10 V
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 130 W
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 — 3.8 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel, TRL)
Lead Finish — Lead-free (PBF) matte tin
Statut RoHS — Compliant
Technology Family — HEXFET advanced process technology

Fiches techniques et ressources

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