IRLR3410TRPBF vs IRLR3410TRRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3410TRPBF par Infineon et IRLR3410TRRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRLR3410TRPBF | IRLR3410TRRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,81 | $0,58 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) | IR HEXFET (IR MOSFET process) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 79 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 105 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | Logic-level (drive ~4.5V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22.7 nC | 22.7 nC |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain Tab Connection | Tab electrically tied to Drain | — |
| Polarity | N-Channel enhancement mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 17 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 79 W |
| On-Resistance (RDS(on) max at VGS=10V) | — | 105 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | 1 V (at 250 uA) |
| Packaging Style | — | Tape & Reel Right (TRR) |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS Status | — | Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) |