IRLR3636TRPBF vs IRLR7843TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLR3636TRPBF par Infineon et IRLR7843TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLR3636TRPBF IRLR7843TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,38 $0,48
FET Type N-Channel MOSFET, Metal Oxide —
Drain-to-Source Voltage (V_DSS) 60 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 25C 50 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C = 100C [DATA_NEEDED: I_D at 100C] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum R_DS(on) at V_GS = 10V 6.8 mOhm —
Typical R_DS(on) at V_GS = 10V 5.4 mOhm —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) range] —
Total Gate Charge (Q_G) 33 nC —
Maximum Power Dissition (P_D) at T_C = 25C 143 W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET / IR MOSFET HEXFET
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 161 A
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 140 W
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — 4.5 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 34 nC
Gate-to-Source Voltage Max — ±20 V
Avalanche Energy (Eas) — Fully characterized
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)

Fiches techniques et ressources

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