IRS2153DSPBF vs IR21531STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2153DSPBF par Infineon et IR21531STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2153DSPBF IR21531STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,70
Fonction Half-bridge gate driver with RC input oscillator —
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge Half-Bridge
Nombre de sorties 2 (HO, LO) 2 (high-side, low-side)
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40C to +125C
Boîtier 8-SOIC (SOIC-8) 8-pin SOIC (SO-8)
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Driver Type — High-side and Low-side, self-oscillating
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Internal VCC Clamp — 15.6 V
High-Side Offset Voltage — up to 600 V
Peak Source/Sink Current — 250 mA
Temps de montée — 80 ns
Temps de descente — 45 ns
Dead-Time — 0.6 microseconds (typical)
Oscillator — External RC programmable
Bootstrap Diode — Integrated
Input Logic — CMOS Schmitt-trigger (RC timing)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
Statut RoHS — Compliant (ROHS3)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis