IRS2153DSPBF vs IRS2453DSTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2153DSPBF par Infineon et IRS2453DSTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2153DSPBF IRS2453DSTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,98 $0,86
Fonction Half-bridge gate driver with RC input oscillator Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator
Configuration High-side + low-side driver, half-bridge —
Nombre de sorties 2 (HO, LO) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS High-side Supply Voltage VCC + 0.3 V (typical bootstrap) —
Gate Drive Source Current (IO+) 130 mA typical —
Gate Drive Sink Current (IO-) 270 mA typical —
Rise Time (tr) [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns) —
Fall Time (tf) [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns) —
Internal Deadtime ~1.2 us —
Température de fonctionnement -40 C to +125 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 8-SOIC (SOIC-8) 14-SOIC (0.154", 3.90 mm)
Input Type RC-input oscillator (no external PWM required) —
Logic Polarity Inverting / Non-inverting per channel —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS HVIC and latch-immune CMOS
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Driver Configuration — High-side and low-side (full-bridge)
Number of Drivers — 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs)
Gate Drive Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC operating range]
Input Voltage (VB offset) — 600 V (high-side offset rating)
Source Current (typ.) — 0.18 A
Sink Current (typ.) — 0.26 A
Oscillator Type — RC, CMOS 555-style front-end
Bootstrap FET — Integrated
Shutdown Pin — Yes
Input Circuit — RC Input Circuit
Statut RoHS — Compliant (Pb-free per suffix "PBF")

Fiches techniques et ressources

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