IRS2453DSTRPBF vs IRS2153DSPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS2453DSTRPBF par Infineon et IRS2153DSPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS2453DSTRPBF IRS2153DSPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $0,98
Fonction Full-bridge gate driver IC with integrated oscillator Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Driver Configuration High-side and low-side (full-bridge) —
Number of Drivers 4 (HO, LO outputs for two half-bridge legs) —
Gate Drive Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC operating range] —
Input Voltage (VB offset) 600 V (high-side offset rating) —
Source Current (typ.) 0.18 A —
Sink Current (typ.) 0.26 A —
Oscillator Type RC, CMOS 555-style front-end —
Bootstrap FET Integrated —
Shutdown Pin Yes —
Input Circuit RC Input Circuit —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40 C to +125 C
Boîtier 14-SOIC (0.154", 3.90 mm) 8-SOIC (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (Pb-free per suffix "PBF") —
Technology HVIC and latch-immune CMOS HVIC + latch-immune CMOS
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
Nombre de sorties — 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (Voffset) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)

Fiches techniques et ressources

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