ISC015N03LF2SATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC015N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC015N03LF2SATMA1 | ISC028N03LF2SATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,96 | $0,86 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™ 2 (<= 40 V trench) | OptiMOS 5 30V |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 43 A | 24 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 214 A | 128 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.5 mΩ | 2.8 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2.35 V | — |
| Power Dissipation at TA=25C | 3 W | — |
| Power Dissipation at TC=25C | 125 W | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8-62 (TDSON EP) | PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 30 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 2.35 V |
| Power Dissipation at TA | — | 3 W |
| Power Dissipation at TC | — | 83 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| RoHS / Lead-Free | — | Yes (RoHS compliant) |
| Niveau MSL | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |