ISC025N08NM5LF2ATMA1 vs ISC015N06NM5ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC025N08NM5LF2ATMA1 par Infineon et ISC015N06NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 - 80V 2.55mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

ISC025N08NM5LF2ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC025N08NM5LF2ATMA1 ISC015N06NM5ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,74 $0,62
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 5 LF2 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 80 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TA=25°C 23 A —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 198 A —
On-Resistance (RDS(on)) Max 2.55 mΩ —
Gate-Source Threshold (VGS(th)) Max 3.9 V —
Total Gate Charge (Qg) Max 96 nC —
Power Dissipation @ TA 3 W —
Power Dissipation @ TC 217 W —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (Surface Mount) PG-TDSON-8 (PQFN 5x6) Drain-Down
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +175 C
Polarity N-Channel —
Statut RoHS Compliant Compliant
Ordering Code Suffix ATMA1 (Tape & Reel, 13-inch) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 33 A
Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25C — 259 A
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V — 1.5 mOhm
Total Power Dissipation (TA) — 3 W
Total Power Dissipation (TC) — 188 W
MSL (Moisture Sensitivity Level) — 1

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