ISC028N03LF2SATMA1 vs ISC030N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC028N03LF2SATMA1 par Infineon et ISC030N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC028N03LF2SATMA1 ISC030N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,86 $1,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 30V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 128 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.35 V —
Power Dissipation at TA 3 W —
Power Dissipation at TC 83 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
RoHS / Lead-Free Yes (RoHS compliant) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Technology — OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS max) — 120 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) — 194 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 21 A
On-Resistance RDS(on) max — 3.4 mOhm @ VGS=10 V
On-Resistance RDS(on) typical — 3.0 mOhm @ VGS=10 V
Dissipation de puissance (TC=25°C) — 250 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
Température de fonctionnement — -55 C to +175 C (junction)
Gate Drive Voltage (recommended) — 10 V (full RDS(on))
Configuration — Single N-channel, source-down
Packaging (suffix) — Tape & Reel (ATMA1)
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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