ISC037N12NM6ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon et BSC014NE2LSIATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC037N12NM6ATMA1 BSC014NE2LSIATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,62 $0,48
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V)
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-TDSON-8-7 (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (VDS) — 25 V
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 33 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — [DATA_NEEDED: Tc condition rating]
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
On-State Resistance RDS(on) — 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V]
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 74 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +150 °C
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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