ISC037N12NM6ATMA1 vs IAUC120N06S5L015ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon et IAUC120N06S5L015ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC037N12NM6ATMA1 IAUC120N06S5L015ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,62 $0,92
Technology OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) N-Channel MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-Source Voltage (Vds) 120 V —
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C 19.2 A —
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc 163 A —
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V 3.7 mOhm —
Power Dissipation at Ta 3 W —
Power Dissipation at Tc 214 W —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] —
Gate Charge (Qg) typ [DATA_NEEDED: Qg total] —
Boîtier PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) PG-TDSON-8-43 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (exposed pad)
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55C to +175C (Tj)
Statut RoHS Compliant Compliant
Avalanche Energy Rated Yes (single-pulse) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 235 A
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) — 1.5 mΩ
Gate Charge (Qg, typ) — 88 nC
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 167 W
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Drain-Source On-State Resistance Test Conditions — VGS = 10 V, ID = 50 A
Typical Application — Automotive DC-DC, battery switches, motor drives

Fiches techniques et ressources

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