ISC037N12NM6ATMA1 vs IPTC054N15NM5ATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon et IPTC054N15NM5ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 - 150V 143A 5.4mΩ OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IPTC054N15NM5ATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | ISC037N12NM6ATMA1 | IPTC054N15NM5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $3,62 | $1,52 |
| Technology | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | 19.2 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | 163 A | — |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | 3.7 mOhm | — |
| Power Dissipation at Ta | 3 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 214 W | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] | — |
| Gate Charge (Qg) typ | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Boîtier | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) | PG-HDSOP-16-2 (16-pin top-cooled) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (top-side cooled) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (junction) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS 5 (IPT family) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 17.5 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 143 A |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 250 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V, ID=50A | — | 5.4 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] |
| Total Gate Charge (Qg) typical | — | 58 nC |
| Forward Body Diode Voltage (VSD) | — | 0.83 V |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |