ISC046N13NM6ATMA1 vs IQD005N04NM6CGATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon et IQD005N04NM6CGATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | ISC046N13NM6ATMA1 | IQD005N04NM6CGATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,08 | $1,62 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Boîtier / Format | PG-TDSON-8 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55 °C to +150 °C (TJ) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (trench FET) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| RDS(on) Typical | — | 0.5 mΩ |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 58 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 610 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM pulsed rating] |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 333 W |
| Boîtier | — | PG-TTFN-9-U02 (Source-Down 5x6 mm²) |
| Nombre de broches | — | 9 |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Lead-Free | — | Yes |
| Source Configuration | — | Source-Down (bottom-side source for PCB heatsinking) |