ISC110N12NM6ATMA1 vs BSC066N06NSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC110N12NM6ATMA1 par Infineon et BSC066N06NSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC110N12NM6ATMA1 BSC066N06NSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,51 $0,49
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 11 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 62 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 9.8 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ 3.1 V —
Total Gate Charge (Qg) 15.4 nC 26 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) 1.1 nF —
Output Capacitance (Coss) 330 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 10 pF —
Power Dissipation (Pd) at Tc 94 W —
Power Dissipation (Pd) at Ta 3 W —
Avalanche Energy (EAS) 185 mJ —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C -55°C to +150°C
Boîtier SuperSO8 (TDSON-8) PG-TDSON-8-6 (TDSON EP)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — 45 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 256 A
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 6.6 mΩ (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.7 V (typ)
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 46 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 2.5 W
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RθJC) — 1.3 °C/W
Niveau MSL — 1
Technology — OptiMOS 5 60 V trench-gate

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis