K3KL3L30CM-BGCT vs K3KL8L80CM-MGCT Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K3KL3L30CM-BGCT par Samsung Electronics et K3KL8L80CM-MGCT par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K3KL3L30CM-BGCT | K3KL8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gbit | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | x64 | x32 |
| Speed Grade | LPDDR5X-7500 (7500 MT/s) | — |
| Technology | Stacked DRAM die, mobile BGA | — |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact package code and ball count] | 315-ball FBGA |
| Core Voltage | [DATA_NEEDED: VDD core voltage] | — |
| I/O Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25C to +85C |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme] | — |
| Standards Compliance | JEDEC LPDDR5X specification | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Application Class | Mobile / embedded main memory | — |
| Max Data Rate | — | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | — | 3750 MHz |
| Core Supply Voltage (VDD) | — | 1.05 V |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | — | 900 mV (500 mV low-power mode) |
| VDD2 Supply Voltage | — | 1.8 V |
| Interface | — | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) |
| Application Segment | — | Mobile, Automotive, On-device AI, PC |
| Power Efficiency | — | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) |