K3KL8L80DM-JGCT vs K3KLALA0DM-MGCU Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K3KL8L80DM-JGCT par Samsung Electronics et K3KLALA0DM-MGCU par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K3KL8L80DM-JGCT K3KL8L80DM-JGCT - 32Gb LPDDR5X DRAM FBGA-315 | Samsung

K3KL8L80DM-JGCT - 32Gb LPDDR5X DRAM FBGA-315 | Samsung

K3KL8L80DM-JGCT ✓ Actif
Samsung Electronics
K3KLALA0DM-MGCU K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU - 16Gb LPDDR5X DRAM 6400Mbps | Samsung

K3KLALA0DM-MGCU ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K3KL8L80DM-JGCT K3KLALA0DM-MGCU
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $80,70 $0,00
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Type LPDDR5X SDRAM —
Density 32 Gbit (4 GB) 16 Gbit (2 GB) per die
Organisation de la mémoire x32 [DATA_NEEDED: die organization x16/x32]
Boîtier FBGA-315 (315-ball BGA) 315-ball FBGA
Débit de données Up to 7500 Mbps (family up to 8.5 Gbps) —
Interface LPDDR5X (JEDEC LPDDR5-compatible, low-power SDRAM) LPDDR5X (LPDDR5X-class channel)
Supply Rails 500 mV / 900 mV / 1.05 V / 1.8 V —
Température de fonctionnement -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Power Efficiency ~20-25% improvement vs LPDDR5 (family figure) —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Application Domains Mobile, PC, automotive, on-device AI —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
VDD2/VDDQ Class [DATA_NEEDED: exact VDD2 and VDDQ rail values for -JGCT speed grade] —
Speed Grade Suffix Detail [DATA_NEEDED: official Samsung ordering-code decode for JGCT suffix] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package body dimensions in mm] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Type de mémoire — LPDDR5X SDRAM
Maximum Data Rate — 6400 Mbps per pin
Supply Voltage - Core (VDD1) — [DATA_NEEDED: VDD1 voltage]
Supply Voltage - I/O (VDD2/VDDQ) — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Speed Grade Suffix — MGCU (6400 Mbps class)
Grade — Mobile / Low Power Mobile Grade
Ball Pitch — [DATA_NEEDED: ball pitch mm]
Place of Origin — Johor, Malaysia (per distributor listing)
DRAM Process — Advanced DRAM node (EUV-class per Samsung LPDDR5X family)

Fiches techniques et ressources

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