K3LKJKJ0CM-MUCP vs K3LK8K80CM-MFCP Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K3LKJKJ0CM-MUCP par Samsung Electronics et K3LK8K80CM-MFCP par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K3LKJKJ0CM-MUCP K3LKJKJ0CM-MUCP - 24Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKJKJ0CM-MUCP - 24Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKJKJ0CM-MUCP ✓ Actif
Samsung Electronics
K3LK8K80CM-MFCP K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP - 48Gbit LPDDR5 6400Mbps DRAM | Samsung

K3LK8K80CM-MFCP ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K3LKJKJ0CM-MUCP K3LK8K80CM-MFCP
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Manufacturer Samsung Electronics —
Product Type LPDDR5 SDRAM —
Density 24 Gbit (3 GB) 48 Gbit (6 GB)
Boîtier 315-ball FBGA 315-ball FBGA (MFCP)
Maximum Data Rate 6400 Mbps —
VDD2 Supply Voltage 1.8 V —
VDD1 Supply Voltage 1.05 V —
VDDQ Supply Voltage 0.9 V —
Interface LPDDR5 (JEDEC standard) LPDDR5 (JESD209-5 class low-power DRAM interface)
Memory Category DRAM (volatile memory) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: x-bit organization] [DATA_NEEDED: organization (x width)]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: temperature range for -MUCP grade] -40 C to +105 C (automotive-grade)
Product Status Active (per Samsung LPDDR5 family listings) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] unknown
Automotive Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 status for MUCP suffix] —
Type de mémoire — LPDDR5 SDRAM
Pin Speed — 6400 Mbps
Data Rate (package) — 51.2 GB/s (family max)
Ball Count — 315
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ voltage]
Power Saving vs LPDDR4X — Approximately 20%
Generation — LPDDR5 (5th generation low-power DRAM)
Application Grade — Automotive-grade storage chip
Place of Origin — Johor, Malaysia

Fiches techniques et ressources

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