K4A4G085WD-BCTD vs K4A4G085WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCTD | K4A4G085WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | D-die |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 78-ball FBGA | FBGA-78 (PB) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Interface | DDR4 (JEDEC-compatible) | DDR4 (Double Data Rate 4) |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | Compliant (PB lead-free suffix) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Speed Grade / Data Rate | — | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh specification] |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Datasheet Pages | — | 66 pages (K4A4G085WD family datasheet) |