K4A4G085WD-BCTD vs MT40A512M8RH-075E:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WD-BCTD par Samsung Electronics et MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WD-BCTD | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $2,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | DDR4 (JEDEC-compatible) | — |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| Type d'interface | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| Tension de référence | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Refresh | — | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |