K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WD-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,38 | $3,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Interface | Parallel, x16 | DDR4 (synchronous, source-synchronous strobe) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Die Generation | E-die | D-die |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | FBGA-96 |
| Terminal Count | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (lead-free suffix) |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | 8 (BL8, fixed/chop) |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Débit de données | — | 2133 MT/s |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency at 2133 speed bin] |
| Pb-Free | — | Yes (per Samsung part-numbering suffix) |
| Refresh | — | Self-refresh supported (TCSR per DDR4 standard features) |