K4B4G1646D-BYK0 vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYK0 par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYK0 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,90 | $0,56 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5 V compatible) | — |
| Débit de données | 1600 Mbps (PC3-12800) | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (BYK) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 85°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 11, 10, 9) | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Die Revision | D-die | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Interface | — | Parallel |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | — | 1.25 ns |