K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH165VB-BIWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BIWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BIWM - 16Gb DDR5 1Gx16 5600Mbps DRAM | Samsung
K4RAH165VB-BIWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH165VB-BIWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Débit de données | 4800 Mbps (MT/s) | 5600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | Yes (per K4RAH165VB family datasheet) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 106-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Marque | Samsung Semiconductor | — |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| Reset Function | — | Asynchronous reset |
| DLL | — | DLL enabled mode of operation (per datasheet) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Standard Packaging | — | 1000 units |
| Statut RoHS | — | Compliant (per JLCPCB listing for K4RAH165VB-BCWM, same family) |