K4RBH046VM-BCCP vs K4RBH046VM-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH046VM-BCCP par Samsung Electronics et K4RBH046VM-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH046VM-BCCP | K4RBH046VM-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,60 | $11,35 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 32 Gb | 32 Gb |
| Memory Organization | 2G x 4 | 2G x 4 |
| Débit de données | 6400 Mbps | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Interface | Parallel | — |
| Boîtier | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0 C to +85 C | 0 C to 85 C |
| Memory Format | DRAM | Volatile |
| Technology | DDR5 | DRAM |
| Packaging | Tray | Tray |
| Product Status | Sample / Active | Sample |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Access Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| Speed Grade | — | DDR5-5600 |
| Access Time / CL | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |