K4RBH046VM-BCWM vs K4RHE165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RBH046VM-BCWM par Samsung Electronics et K4RHE165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server
K4RBH046VM-BCWM ✓ ActifSamsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RBH046VM-BCWM | K4RHE165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,35 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 32 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 4 | — |
| Débit de données | 5600 Mbps | 5600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Technology | DRAM | — |
| Memory Format | Volatile | — |
| Température de fonctionnement | 0 C to 85 C | 0 to 85 C |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 106 FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Packaging | Tray | — |
| Product Status | Sample | Mass Production |
| Manufacturer | Samsung Electronics | — |
| Speed Grade | DDR5-5600 | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Access Time / CL | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Density | — | 24 Gb (3 GB) |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Interface | — | DDR5 (parallel, DDR) |
| Access Type | — | Synchronous |
| Clock Rate (nominal) | — | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) |
| Ball Count | — | 106 |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] |