K4RHE086VB-BCWM vs K4RBH046VM-BCWM Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RHE086VB-BCWM par Samsung Electronics et K4RBH046VM-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RBH046VM-BCWM K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM - 32Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung | Server

K4RBH046VM-BCWM ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RHE086VB-BCWM K4RBH046VM-BCWM
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $7,65 $11,35
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb —
Organisation de la mémoire 2G x 8 —
Débit de données 5600 Mbps 5600 Mbps
Tension d'alimentation 1.1 V 1.1 V
Boîtier 82 FBGA 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface DDR5 (JEDEC) —
Configuration x8 —
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor Samsung Electronics
Statut RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0 C to 85 C
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Taille de mémoire — 32 Gb
Memory Organization — 2G x 4
Memory Interface — Parallel
Technology — DRAM
Memory Format — Volatile
Packaging — Tray
Product Status — Sample
Speed Grade — DDR5-5600
Access Time / CL — [DATA_NEEDED: CAS Latency]

Fiches techniques et ressources

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