K6X0808C1D-GF70T00 vs K6X0808C1D-BF70T Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-GF70T00 par Samsung Electro-Mechanics et K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 - 256Kbit 32Kx8 Async SRAM 70ns | Samsung

K6X0808C1D-GF70T00 ✓ Actif
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K6X0808C1D-GF70T00 K6X0808C1D-BF70T
Marque Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,85 $1,05
Type de mémoire SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Taille de mémoire 256 Kbit 256 Kbit
Organisation de la mémoire 32K x 8 —
Access Time 70 ns 70 ns
Interface Parallel —
Technology CMOS —
Tension d'alimentation 5 V —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Boîtier 28-SOP 28-SOP
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (TA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Active Current [DATA_NEEDED: active current] —
I/O Type Common Data I/O, TTL compatible —
Control Signals CE, OE, WE CE, OE, WE
Clock / Refresh Fully static, no clock or refresh required —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging Tape & Reel (T00 suffix) —
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Largeur du bus de données — 8 bit (I/O0-I/O7)
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Fiches techniques et ressources

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