K9HUGY8J5B-CCK0 vs K9JUGY8J5C-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9HUGY8J5B-CCK0 par Samsung Electronics et K9JUGY8J5C-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9HUGY8J5B-CCK0 K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 - 3D V-NAND TLC Flash | Samsung | SSD Storage

K9HUGY8J5B-CCK0 ✓ Actif
Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9HUGY8J5B-CCK0 K9JUGY8J5C-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Flash
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,60 $0,00
Type de mémoire 3D V-NAND TLC Flash NAND Flash (V-NAND TLC)
Manufacturer Samsung Electronics —
Density [DATA_NEEDED: density] 1 Tb
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Type d'interface [DATA_NEEDED: interface type] —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: supply voltage] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycles] —
Access Time [DATA_NEEDED: access time] —
Package Type [DATA_NEEDED: package type] —
Nombre de broches [DATA_NEEDED: pin count] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Cell Type — Triple-Level Cell (TLC)
Technology — Samsung V-NAND (3D)
Interface — [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range]
Supply Voltage (VCCQ) — [DATA_NEEDED: VCCQ range]
Program Time (typ) — [DATA_NEEDED: tPROG]
Read Time (typ) — [DATA_NEEDED: tR]
Boîtier — [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code]
Endurance (P/E cycles) — [DATA_NEEDED: program/erase endurance]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

Fiches techniques et ressources

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