K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9EUGY8S0M-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9IUGY8J7B-CCK0 par Samsung Electronics et K9EUGY8S0M-BCK0 par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Actif
Samsung Electro-Mechanics
K9EUGY8S0M-BCK0 K9EUGY8S0M-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9EUGY8S0M-BCK0 - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung

K9EUGY8S0M-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9IUGY8J7B-CCK0 K9EUGY8S0M-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,00 $0,00
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Type de mémoire NAND Flash, 3D V-NAND TLC NAND Flash (non-volatile)
Cell Type TLC (3 bits per cell) [DATA_NEEDED: SLC/MLC/TLC/QLC]
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Type d'interface [DATA_NEEDED: bus interface type] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] —
Largeur du bus de données [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Family — K9-series V-NAND Flash
Density — [DATA_NEEDED: memory density]
Organisation de la mémoire — [DATA_NEEDED: organization x8/x16]
Tension d'alimentation — [DATA_NEEDED: VCC voltage]
VCCQ Voltage — [DATA_NEEDED: VCCQ voltage]
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: read access time]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: program time]
Erase Time (tBERS) — [DATA_NEEDED: block erase time]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Boîtier — [DATA_NEEDED: package type and dimensions]
Packing — [DATA_NEEDED: tray or tape and reel]

Fiches techniques et ressources

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