K9IUGY8J7B-CCK0 vs K9KUGY8J7C-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9IUGY8J7B-CCK0 par Samsung Electronics et K9KUGY8J7C-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-CCK0 K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 - 1Tb 3D V-NAND TLC Flash | Samsung

K9IUGY8J7B-CCK0 ✓ Actif
Samsung Electronics
K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9IUGY8J7B-CCK0 K9KUGY8J7C-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,00 $9,55
Memory Density 1 Tb (Tera bit) —
Type de mémoire NAND Flash, 3D V-NAND TLC NAND Flash (TLC V-NAND)
Cell Type TLC (3 bits per cell) TLC (3 bits/cell)
V-NAND Generation V6 (6th generation) —
Process Node / Layer Count 4448-128L (128-layer) —
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
Type d'interface [DATA_NEEDED: bus interface type] [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode]
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC voltage] [DATA_NEEDED: VCC range in V]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ voltage] [DATA_NEEDED: VCCQ range in V]
Largeur du bus de données [DATA_NEEDED: data bus width] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size in KB]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range in C]
Package Type [DATA_NEEDED: exact package code] BGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Density — 1 Tb
Organisation de la mémoire — [DATA_NEEDED: page/block organization]
Package Code — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Grade Suffix — BCK0

Fiches techniques et ressources

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