K9JUGY8J5C-BCK0 vs K9KUGY8J7C-BCK0 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9JUGY8J5C-BCK0 par Samsung Electronics et K9KUGY8J7C-BCK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

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K9JUGY8J5C-BCK0 K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-BCK0 ✓ Actif
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K9KUGY8J7C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 - 1Tb TLC NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9KUGY8J7C-BCK0 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9JUGY8J5C-BCK0 K9KUGY8J7C-BCK0
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Flash Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $9,55
Type de mémoire NAND Flash (V-NAND TLC) NAND Flash (TLC V-NAND)
Density 1 Tb 1 Tb
Cell Type Triple-Level Cell (TLC) TLC (3 bits/cell)
Technology Samsung V-NAND (3D) —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size in KB]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Interface [DATA_NEEDED: async/DDR or Toggle DDR interface and mode] —
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] [DATA_NEEDED: VCC range in V]
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] [DATA_NEEDED: VCCQ range in V]
Program Time (typ) [DATA_NEEDED: tPROG] —
Read Time (typ) [DATA_NEEDED: tR] —
Boîtier [DATA_NEEDED: FBGA ball count / package code] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range in C]
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: program/erase endurance] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention specification] —
Statut RoHS Compliant Compliant
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Type d'interface — [DATA_NEEDED: toggle DDR / ONFI mode]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Type — BGA
Package Code — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
Grade Suffix — BCK0
Manufacturer — Samsung Electronics

Fiches techniques et ressources

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